近期，我校電信學院微電子科研團隊在國際電路與系統(tǒng)領域權威期刊IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs（TCAS II）上成功發(fā)表集成電路設計方面的學術論文——“A 2.5 ppm/℃ voltage reference combining traditional BGR and ZTC MOSFET high-order curvature compensation”。

微電子科研團隊成員——劉錫峰老師所發(fā)表的論文采用了MOS器件α功率模型分析，結合ZTC工作特性，設計并實現(xiàn)了一款用于高精度語音通訊的高階曲率補償帶隙基準芯片。

TCAS II是IEEE旗下學術期刊，是電路與系統(tǒng)、集成電路設計領域業(yè)界公認的頂級期刊，上述論文的發(fā)表實現(xiàn)了我校在集成電路設計領域國際性高水平論文方面突破。此外，微電子科研團隊還分別在International Journal of Electronics and Communications”（JCR分區(qū)：2）、Microelectronics Journal”（JCR分區(qū)：3）期刊上成功發(fā)表了另外兩篇集成電路設計相關論文。

近年來，我校基于江蘇省專用集成電路設計重點實驗室（無錫）平臺，面向區(qū)域經(jīng)濟重大需求和國際前沿領域，堅持學術創(chuàng)新和工程實踐協(xié)同發(fā)展，在微電子科研團隊全體成員的共同努力下，科學研究方面的成果正在逐步顯現(xiàn)。（電子信息工程學院：居水榮）